Phòng Laser bán dẫn

DANH SÁCH THÀNH VIÊN

CÁC THÀNH TỰU CHÍNH

1. Xây dựng hệ thiết bị khắc laser trực tiếp

Hệ thiết bị khắc laser 3 chiều sử dụng hiệu ứng LOPA:

• Độ phân giải dịch chuyển 1 nm,
• Bước sóng khắc laser 532 nm,
• Có điều khiển tự động theo chu trình cho phép khắc laser theo cấu hình thiết kế định trước.
• Độ phân giải cấu trúc theo trục ngang 200 nm, trục đứng 700 nm.
• Ứng dụng trong chế tạo các cấu trúc quang tử nano

2. Thiết bị LED trị liệu 04 bước sóng

• Vùng bước sóng hoạt động: 430 nm/520 nm/590 nm/630 nm
• Công suất LED (max): 84 W
• Công suất quang ra (max): 16,5 W
• Mật độ công suất trung bình: 2÷50 mW/cm²

3. Thiết bị Laser trị liệu đa kênh

• Thiết bị trị liệu module laser diode công suất cao 04 đầu phát laser gồm  02 đầu phát ở vùng ánh sáng đỏ (λ = 670 nm) và 02 đầu phát ở vùng hồng ngoại gần (λ = 940 nm).
• Công suất quang tối đa ở đầu sợi quang đa mốt P_max> 300 mW cho ánh sáng đỏ và P_max > 1W cho ánh sáng hồng ngoại gần.

4. Giải pháp, thiết bị chiếu sáng hoa cúc tiết kiệm năng lượng

Sử dụng đèn LED công suất cao, phân bố chiếu sáng đồng đều thay thế các loại đèn truyền thống (đèn sợi đốt, đèn huỳnh quang compact), giá thành hợp lý, ứng dụng thành công cho chiếu sáng trong sản xuất hoa cúc tiết kiệm điện năng hàng chục lần, nâng cao chất lượng và hiệu quả sản xuất hoa cúc.

 Hình 1. Hệ thiết bị khắc laser trực tiếp (DLW) chế tạo cấu trúc quang tử

Hình 2. (a). Thiết bị LED trị liệu 04 bước sóng; (b). Thiết bị Laser trị liệu đa kênh

CÁC CÔNG BỐ TIÊU BIỂU

[1]. T. Giang, T. L. La, T. Q. Tien, P. H. Duong, Q. C. Tong, “A Simple Designed Lens for Human Centric Lighting Using LEDs”, Appl. Sci. 10 (1), 343 (2020).

[2]. T-P Nguyen, T. Q. Tien, Q. C. Tong and N. D. Lai, “An Optimization of Two-Dimensional Photonic Crystals at Low Refractive Index Material”, Crystals 9 (9), 442 (2019).

[3]. Sumpf, J. Fricke, A. Ginolas, A. Maaßdorf, M. Maiwald, A. Müller, M. Tawfieq, L. S. Theurer, T. N. Vu, and H. Wenzel, "Tunable Y-branch dual-wavelength diode lasers in the VIS and NIR range for sensor applications", Proc. SPIE 10939, Novel In-Plane Semiconductor Lasers XVIII, 1093913 (2019).

[4]. T-P Nguyen, H. Wenzel, O. Brox, F. Bugge, P. Ressel, M. Schiemangk, A. Wicht, T. Q. Tien and G. Tränkle, “Spectral Linewidth vs. Front Facet Reflectivity of 780 nm DFB Diode Lasers at High Optical Output Power”, Appl. Sci. 8 (7), 1104 (2018).

[5]. C. Tong, F. Mao, M. H. Luong, M. T. Do, R. Ghasemi, T. Q. Tien, D. T. Nguyen, N. D. Lai, “Arbitrary Form Plasmonic Structures: Optical Realization, Numerical Analysis and Demonstration Applications”, In Plasmonics, Intech Open, ISBN 978-953-51-0685-2, (2018).

[6]. Mao, F., Davis, A., Tong, Q. C., Luong, M. H., Nguyen, C. T., Ledoux-Rak, I., & Lai, N. D., “Direct Laser Writing of Gold Nanostructures: Application to Data Storage and Color Nanoprinting”. Plasmonics, 1-7, (2018).

[7]. Tong Q. C., Luong M. H., Tran T. M., Remmel J., Do M. T., Kieu D. M., Lai N. D. “Realization of desired plasmonic structures via a direct laser writing technique”, Journ. of Electron. Mater. 46(6), 3695-3701, (2017).

[8]. Tong, Q. C., Luong, M. H., Remmel, J., Do, M. T., Nguyen, D. T. T., Lai, N. D,“Rapid direct laser writing of desired plasmonic nanostructures”,  Lett., Vol. 42, No 12, p. 2382-2385. (2017).

[9]. Tong Q. C., Nguyen D. T. T., Do M. T., Luong M. H., Journet B., Ledoux-Rak I., Lai N. D, “Direct laser writing of polymeric nanostructures via optically induced local thermal effect”, Appl. Phys. Lett. 108(18), 183104, (2016).

[10]. Bernd Sumpf, Andreas Klehr, Thi Nghiem Vu, Götz Erbert, Günther Tränkle ‘‘975 nm high-peak power diode laser based MOPA suitable for DIAL applications”, Proc. SPIE 9382, Novel In-Plane Semiconductor Lasers XIV, 93821K, ISBN: 978 1628 414 721, (2015).

TRANG THIẾT BỊ CHÍNH