Đất nền Bắc giang

Phòng Hiển vi điện tử

 

DANH SÁCH THÀNH VIÊN

STT Họ và tên Biên chế/ HĐ/CTV Điện thoại Email
1 TS. Trần Thị Kim Chi Biên chế 0989832333 chittk@ims.vast.ac.vn
2 ThS. Nguyễn Tiến Thành Biên chế 0981491582 ntthanh@ims.vast.ac.vn
3 Nguyễn Thị Thúy Biên chế   thuynt@ims.vast.ac.vn
4 TS. Lê Thị Hồng Phong Biên chế 0976908589 phonglth@ims.vast.ac.vn
5 CN. Bùi Thị Thu Hiền Biên chế 0865640392 hienbtt@ims.vast.ac.vn

 

CÁC THÀNH TỰU CHÍNH

- Chế tạo thành công tinh thể nano ZnSe (hình 1) và chấm lượng tử phát quang ZnSe bằng phương pháp thủy nhiệt, các thông số thực nghiệm đã được tối ưu hóa. Vật liệu chế tạo được khối lượng lớn gram/mẻ, có cấu trúc tinh thể tốt, phát quang hiệu suất cao trong vùng ánh sáng xanh da trời, có triển vọng ứng dụng trong chiếu sáng rắn và lớp phát quang trong diode phát quang sử dụng chấm lượng tử (QLED). Hình 2 mô tả cấu hình của một QLED.

Hình 1: Mẫu bột ZnSe

Hình 2. Cấu hình năng lượng của diode phát quang sử dụng chấm lượng tử (QLED)

 

  • Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời dựa trên cơ sở nghiên cứu chế tạo hệ hạt nano Au/TiO2 và   vật liệu nhóm III/, cụ thể đã chế tạo được các linh kiện pin mặt trời đơn lớp (InGaP, GaAs, InGaAsP, InGaAs) và đa lớp (InGaP/GaAs, InGaAsP/InGaAs, GaAs/InGaAs) với hiệu suất chuyển đổi quang-điện cao

- Chế tạo thành công vật liệu composite Fe/FexOy bằng phương pháp nghiền cơ năng lượng cao. Vật liệu chế tạo được là tổ hợp 2 thành phần Fe và Fe3O4 với dạng hình lamella. Kết quả đo từ độ phụ thuộc nhiệt độ cho thấy xuất hiện một chuyển pha ở 120 K, cho thấy vật liệu thu được với pha Fe3O4 có độ tinh thể hóa tốt.

 

CÁC CÔNG BỐ TIÊU BIỂU

  1. N.T. Hien, T.T.K. Chi, N.D. Vinh, H.T. Van, L.D. Thanh, P.V. Do, V.P. Tuyen, N.X. Ca, Journal of Luminescence 217 (2020) 116822.
  2. V.T.K. Lien, P.M. Tan, N.T. Hien, V.X. Hoa, T.T.K. Chi, N.X. Truong, V.T.K. Oanh, N.T.M. Thuy, N.X. Ca, Journal of Luminescence 215 (2019) 116627.
  3. Tran Thi Thuong Huyen, Bui Thi Thu Hien, Nguyen Thu Loan, Man Hoai Nam, Tran Thi Kim Chi, J.Elec.Mat. 48 (2019) 7846.
  1. T. Phong, L.T.T. Ngan, L.V. Baue, N.X. Phuc, P.H. Nam, L.T.H. Phong, N.V. Dang, In-Ja Leeh, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 475 (2019) 374.
  2. Tran Chien Dang, Ha Chi Le, Duy Long Pham, Si Hieu Nguyen, Thi Tu Oanh Nguyen, Tien Thanh Nguyen, Tien Dai Nguyen, Journal of Alloys and Compounds 805 (2019) 847e851.
  3. Thach Thi Dao Lien, Nguyen Tien Dai, Nguyen Tien Thanh, Pham Van Phuc, Nguyen Thi Tu Oanh, Pham Duy Long, Pham Van Hoi and Le Ha Chi, Res. Express 6 (2019) 116442.
  4. P.T. Phong, L.T.T. Ngan, L.V. Bau, N.M. An, L.T.H. Phong, N.V. Dang, and In-Ja Lee, , Metall and Mat Trans A 49 (2018) 385.
  5. Tran Thi Thuong Huyen, Tran Thi Kim Chi, Nguyen Duc Dung, Hendrik Kosslick and Nguyen Quang Liem, Nanomaterials 8 (2018) 276.
  6. Van Khien Nguyen, Thi Hong Phong Le, Thi Kim Chi Tran, Van Chuong Truong, Trong Huy Than, and Van Hong Le, J. Electron. Mater. 46(6) (2017) 3603

 

TRANG THIẾT BỊ CHÍNH

Phòng Hiển vi điện tử với thiết bị chính là Hệ kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao (HR-TEM) cho phép quan sát ảnh với độ phân giải rất cao, đủ quan sát được sự tương phản của các lớp nguyên tử trong vật rắn có cấu trúc tinh thể. HR-TEM là một trong những công cụ mạnh để quan sát vi cấu trúc tới kích thước nguyên tử. Hệ HR-TEM được đặt tại phòng 101, 102 khu vực nhà A2; gồm hai phần thiết bị chính:

  1. Hệ thiết bị TEM phân giải cao (JEM 2100,HSX: Jeol, Nhật Bản)

JEM 2100 là một trong những hệ thống hiển vi điện tử truyền qua hiện đại nhất ở Việt Nam, có những tính năng ưu việt sau:

  • Thế phát: 200 kV; sợi đốt: LaB6; độ phân giải giữa hai điểm: 0,23 nm; độ phân giải giữa hai đường: 0,14 nm.
  • Hiển vi điện tử truyền qua quét – STEM: độ phân giải cao (khoảng 1 nm), phù hợp cho các mẫu có độ dày; STEM kết hợp với EDX cho phép mapping nguyên tố.

  • Khả năng nhiễu xạ: nhiễu xạ lựa chọn vùng (SAED), nhiễu xạ chùm hội tụ (CBED) với góc nhiễu xạ rộng.

  • Phân tích thành phân hóa học nguyên tố: tán xạ năng lượng EDX

  1. Hệ thiết bị chuẩn bị mẫu

MÁY CẮT MẪU 

Model: IsoMet 4000, Buehler - MỹPhạm vi phát hiện: 30um~1mm

Được dùng để cắt mẫu vật liệu

 

MÁY ĐÁNH BÓNG MẪU

Model: Ecomet 250, Buehler - Mỹ

Được dùng để đánh bóng thô mẫu vật liệu  

MÁY MÀI MẪU PHẲNG

Model: 623, Gatan - Mỹ

Được dùng để mài phẳng mẫu vật liệu (mài hai mặt song song) trước khi mài lõm; đường kính mẫu tối đa: 22mm

 

MÁY MÀI LÕM

Model: 656, Gatan - Mỹ

Được dùng để mài lõm vật liệu

 

MÁY ĐỘT MẪU BẰNG SIÊU ÂM

Model: 601,  Gatan - Mỹ

Tích hợp kính hiển vi soi nổi và bàn X-Y

Dùng để tạo các mẫu kim loại cứng hoặc vật liệu giòn: gốm sứ, bán dẫn và mẫu địa chất; Chiều dày cắt: 10μm đến 5mm; Kích thước mẫu cắt đa dạng: 3mm, 2,3mm hoặc 2x3mm hoặc 4x5mm

 

MÁY ĐỘT DẠNG ĐĨA (Disc Punch)

Model: 659, Gatan - Mỹ

Dùng để đột mẫu vật liệu, kích thước mẫu dạng tấm tròn đường kính 3mm và 2.3 mm

 

MÁY ĐÁNH BÓNG ĐIỆN HÓA

Model: TenuPol-5 (HSX: Struer - Đan Mạch)

Đánh bóng 2 mặt đồng thời; Kích thước mẫu ban đầu: đường kính 3mm và 2,3mm dày 0,5mm; đường kính 12-21 mm, dày 1mm

 

MÁY BỐC BAY CHÂN KHÔNG 

Model: JEE - 420T, JEOL - Nhật Bản

Tạo màng mỏng /điện cực cho vật liệu, sử dụng bơm tubor, chân không điều khiển hoàn toàn tự động