Phòng Hiển vi điện tử

02/11/2021 - 12:50 PM 81 lượt xem
CÁC THÀNH TỰU CHÍNH

Trưởng phòng
TS.NCVCC. Trần Thị Kim Chi
CHỨC NĂNG/NHIỆM VỤ:
  • Thực hiện các nghiên cứu về tính chất của các vật liệu kích thước micro và nano mét, sử dụng các kĩ thuật hiển vi điện tử và vi phân tích; phục vụ các nghiên cứu hợp tác với các đối tác khác trong và ngoài Viện
  • Quản lý và khai thác thiết bị Hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao (JEM 2100, Joel), hệ đo Raman (XploRA Plus, Horiba)
HƯỚNG NGHIÊN CỨU CHÍNH:
  • Chế tạo tinh thể nano ZnSe, CdTe... phát quang tốt, kích thước, điều khiển được. Tìm hiểu bản chất huỳnh quang liên quan tới động học, hệ hạt tải sinh ra do kích thích quang dưới tác động của các tham số nhiệt động như nhiệt độ, trường điện từ và thời gian
  • Nghiên cứu chế tạo vật liệu TiO2, TiO2/Au, MoS2, InGaAs,... ứng dụng trong quang xúc tác, pin mặt trời, diode phát quang và tách nước
  • Nghiên cứu chế tạo vật liệu từ: FexOy và CoxFe3-xO4 định hướng trong các ứng dụng liên quan đến điều trị ung thư
 chittk@ims.vast.ac.vn   + 84 989 832 333

CÁC THÀNH TỰU CHÍNH

Tinh thể nano ZnSe được chế tạo bằng cách kết hợp hai phương pháp thủy nhiệt và nghiền cơ năng lượng cao. ZnSe chế yaoj được có dạng tựa cầu, kích thước trung bình (d) trong khoảng 20–100 nm phụ thuộc thời gian nghiền cơ (tm). Các mẫu có cấu trúc zincblende và không có tạp chất. ZnSe phát xạ màu xanh lam tại bước sóng 462 nm được cho là phát xạ exciton gần bờ vùng và một dải phát xạ đám rộng liên quan đến khuyết tật trong khoảng 520–555 nm. Khi tăng thời gian nghiền cơ cường độ phát xạ exciton giảm trong khi phát xạ liên quan đến khuyết tật tăng dần. Điều thú vị là khi giảm d sự phân hủy của Rhodamine B được cải thiện dưới chiếu xạ UV cho thấy tiềm năng ứng dụng của tinh theernano ZnSe trong quang xúc tác.

(a) ZnSe chế tạo bằng phương pháp thủy nhiệt
(b) ZnSe chế tạo kết hợp cả hai phương pháp thủy nhiệt và nghiên cơ năng lượng cao

Hình 1. Hình (a) đỉnh tại năng lượng cao theo nhiệt độ: EHE (T) được fit bởi hàm Varshi trong khoảng T = 15-300K. Hình nhỏ bên trong là đỉnh tại năng lượng thấp theo nhiệt độ ELE (T) tại T = 15-150K (a); Hình (b) Phổ PL của các NP ZnSe với thời gian nghiền cơ (tm) khác nhau (λexc = 355 nm) và tỷ lệ cường độ PL IE2 / IE1 theo hàm của tm.


Hình 2. Ảnh HRTEM của hệ hạt nano Au/TiO2 (a) và Phổ quét thế tuyến tính của màng Au/TiO2 được chế tạo trong một số điều kiện công nghệ khác nhau.

Các hạt nano Au được chế tạo với kích thước có thể kiểm soát (4 – 8 nm) được phân bố đều trên bề mặt hạt nano TiO2 (Hình 2.a). Màng Au/TiO2 khi ủ trong các môi trường không khí (Amb) và chân không (Vac) trong các khoảng thời gian từ 10 phút (10 min) đến 90 phút (90 min) có sự thay đổi đặc tính quang điện hoá của nó (Hình 2.b). Trong đó các mẫu ủ trong môi trường không khí với thời gian đủ dài (Au/TiO2-Amb-30min) thể hiện hiệu suất chuyển đổi quang là tốt nhất.
 
CÁC CÔNG BỐ TIÊU BIỂU

Công bố khoa học
  1. Suho Park, Thuy Thi Nguyen, Yeongho Kim, Sang Jun Lee, Material and device characterization of InGaP solar cells grown on GaAs misoriented substrates by metal-organic chemical vapor deposition, Solar Energy 220 (2021) 406

  2. Duc-Binh Nguyen, Thi My Trong Dong, T. Minh Nguyet Nguyen, Tien-Thanh Nguyen, Vinh-Dat Vuong, Mai Thanh Phong, Thang Van Le, “Multi-layered thin film nanocomposite MoS2@MoO2/MWCNP/ITO-PET: Electrochemical approaches for synthesis and structural characterizations, Applied Surface Science 565 (2021) 150508

  3. Bui Thi Thu Hien, Vu Thanh Mai, Pham Thi Thuy, Vu Xuan Hoa, Tran Thi Kim Chi, “Structural and optical properties, and enhanced photocatalytic performance of ZnSe nanoparticles prepared by hydrothermal and mechanical-milling methods, Crystals 11 (2021) 1125

  4. N.T. Hien, Y.Y. Yu, K.C. Park, N.X. Ca, T.T.K. Chi, B.T.T. Hien, L.D. Thanh, P. V. Do, P.M. Tan, P.T.T. Ha, “Influence of Eu doping on the structural and optical properties of Zn1-xEuxSe quantum dots, Journal of Physics and Chemistry of Solids 148 (2021) 109729

  5. Xuan‑Dien Luong, Quynh‑Trang Luu, Tien‑Thanh Nguyen, Dang‑Chinh Huynh, Duc‑Quan Ngo, Masamichi Yoshimura, Tamao Ishida, Facile Synthesis of MnO2@SiO2/Carbon Nanocomposite‑based Gold Catalysts from Rice Husk for Low‑Temperature CO Oxidation, Catalysis Letters 150 (2020) 2726

  6. N.T. Hien, T.T.K. Chi, N.D. Vinh, H.T. Van, L.D. Thanh, P.V. Do, V.P. Tuyen, N.X. Ca, Synthesis, characterization and the photoinduced electron-transfer energetics of CdTe/CdSe type-II core/shell quantum dots, Journal of Luminescence 217 (2020) 116822.

  7. Xuan-Dung Mai, Tran Thi Kim Chi, Truong-Chung Nguyen, Van-Thao Ta, Scalable synthesis of highly photoluminescence carbon quantum dots, Materials Letters 268 (2020).

  8. P.T. Phong, L.T.T. Ngan, L.V. Baue, N.X. Phuc, P.H. Nam, L.T.H. Phong, N.V. Dang, In-Ja Leeh, Magnetic field dependence of Griffith phase and critical behavior in La0.8Ca0.2MnO3 nanoparticles, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 475 (2019) 374

TRANG THIẾT BỊ CHÍNH
  • Kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao (HR-TEM): JEM2100 (Jeol, Nhật Bản), cho phép quan sát ảnh với độ phân giải rất cao, đủ quan sát được sự tương phản của các lớp nguyên tử trong vật rắn có cấu trúc tinh thể.

  • Hệ thiết bị chuẩn bị mẫu: máy mài mẫu phẳng 623, máy mài lõm 656, máy cắt mẫu isomet 4000, máy đánh bóng mẫu ecomet 250, máy đột mẫu bằng siêu âm 601, máy đột dạng đĩa 659, máy đánh bóng điện hóa tenupol-5, máy bốc bay chân không.

  • Hệ Raman Xplora Plus (λex = 532, 785 nm), khoảng đo: 50-4000cm-1 và độ phân giải phổ ≤ 2cm-1 tùy thuộc vào lựa chọn cách tử, laser.


HỆ HIỂN VI ĐIỆN TỬ TRUYỀN QUA PHÂN GIẢI CAO
 JEM 2100


 


MÁY CẮT MẪU
(Model: IsoMet 4000, Buehler - Mỹ)
 


MÁY ĐÁNH BÓNG MẪU
(Model: Ecomet 250, Buehler - Mỹ)
 


MÁY ĐỘT MẪU BẰNG SIÊU ÂM
(Model: 601, Gatan - Mỹ)
 


MÁY ĐỘT DẠNG ĐĨA
(Model: 659, Gatan - Mỹ)
 


MÁY MÀI MẪU PHẲNG
(Model: 623, Gatan - Mỹ)
 


MÁY MÀI LÕM
(Model: 656, Gatan - Mỹ)
 


MÁY ĐÁNH BÓNG ĐIỆN HÓA
(Model: TenuPol-5; Struer - Đan Mạch)
 


MÁY BỐC BAY CHÂN KHÔNG
(Model: JEE - 420T, JEOL - Nhật Bản)
 



HỆ RAMAN
 (XploRA Plus)
 

Viện khoa học vật liệu
  • 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
  • Điện thoại: 024 37564 129
  • Email: office@ims.vast.ac.vn
  • Giờ làm việc: 08h30 tới 17h00 từ thứ Hai đến thứ Sáu
© 2021 Bản quyền thuộc về VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU.