1. Pin mặt trời Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6
Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã chế tạo pin mặt trời Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 có độ rộng vùng cấm khoảng 1.87 eV từ iodide và bromide. Để nâng cao chất lượng của pin, chúng tôi đã cho thêm Pb(SCN)2 vào trong dung dịch các tiền chất perovskites. Kết quả cho thấy, hình thái bề mặt, chất lượng tinh thể, tính chất quang và điện của Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 có sự thay đổi rõ rệt khi có mặt Pb(SCN)2. Cụ thể là, khi có Pb(SCN)2, kích thước trung bình của các hạt tinh thể Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 lớn hơn 1 µm, và thời gian sống trung bình của các hạt tải khoảng 224.27 ns, lần lượt lớn hơn 7 lần và 10 lần so với các màng mỏng perovskites khi không có Pb(SCN)2. Và tại nồng độ tối ưu 2% Pb(SCN)2, hiệu suất, thế hở mạch, mật độ dòng của pin mặt trời lần lượt là 13.66%, 1.27 V và 14.19 mA/cm2. Với mật độ dòng điện cao và thế hở mạch lớn, vật liệu Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 hứa tiềm năng lớn khi kết hợp với các vật liệu khác để chế tạo pin mặt trời đa lớp. Các kết quả nghiên cứu này đã được công bố trên tạp chí quốc tế Journal of Materials Chemistry A [1].
Hình 1. Sơ đồ năng lượng tại đường biên và bên trong tinh thể theo sự khác biệt về thế tiếp xúc và đặc trưng J-V của pin mặt trời Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 khi không có và khi có 2% Pb(SCN)2 trong tiền chất
2. Vật liệu cấu trúc nano MoO3-x@MoS2 (x = 0, 1) cho ứng dụng quang điện hóa
Nghiên cứu này trình bày một cách tiếp cận mới trong đó MoO3-x kết hợp với MoS2 để tạo thành vật liệu cấu trúc nano MoO3–x@MoS2. Quá trình oxy hóa từng bước của cấu trúc nano MoO3–x@MoS2 được mô tả trong các phương trình (1)-(3) dưới đây:
Hình 2. (a, b) Các ảnh TEM và (c) Ảnh SAED của vật liệu cấu trúc nano MoO3-x@MoS2
Hình 3. (a) Giản đồ và (b) Phổ quét thế tuyến tính (LSV) của quang điện cực MoO3-x@MoS2 trong chất điện phân H2SO4 0,5 M. Quang điện cực này thể hiện mật độ dòng quang là 1,75 mA cm–2 ở 0,52 V so với RHE.
1. Thuy Thi Nguyen, Jihyun Kim, Yeon Soo Kim, Bich Phuong Nguyena and William Jo, Journal of Materials Chemistry A 11 (2023) 10254.
2. 2. N.X. Ca, P.V. Do, N.T.M. Thuy, N.T. Binh, N.T. Hien, P.M. Tan, B.T.T. Hien, T.T.K. Chi, Optical Materials 135 (2023) 113249
3. 3. Tien Thanh Nguyen, Tien Dai Nguyen, Thi Bich Vu, Luong Xuan Dien, Hoang V Le,Hung Manh Do and Thanh Tung Nguyen, Physica Scripta 98(12) (2023) 125961. (2023).
4. 4. Nguyen La Ngoc Tran, Dung Van Hoang, Anh Tuan Thanh Pham, Nguyen Tran Truc Phuong , Ngoc Xuan Dat Mai , Tran Thi Kim Chi, Bui Thi Thu Hien, Thang Bach Phan, Nhu Hoa Thi Tran, Journal of Science: Advanced Materials and Devices 8 (2023)100584.
5. 5. L.T.H. Phong, D.H.Manh, P.H. Nam, V.D. Lam, B.X. Khuyen, B.S. Tung, T. N. Bach, D.K. Tung, N.X. Phuc, RSC Adv., 12 (2022) 698.