Phòng Hiển vi điện tử

02/11/2021 - 12:50 PM 2.629 lượt xem
CÁC THÀNH TỰU CHÍNH


Trưởng phòng
TS. Trần Thị Kim Chi


Email: chittk@ims.(*)

Điện thoại: 0989832333
CHỨC NĂNG/NHIỆM VỤ:

 - Phân tích vật liệu bằng phương pháp hiển vi điện tử: quản lý, vận hành thiết bị hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao (HR-TEM) và các thiết bị hiển vi điện tử khác (khi được giao)

- Nghiên cứu cơ bản, nghiên cứu ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử và những lĩnh vực khác có liên quan; phát triển công nghệ và triển khai ứng dụng kết quả nghiên cứu trong lĩnh vực quang điện tử


HƯỚNG NGHIÊN CỨU CHÍNH:

- Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 và pin mặt trời trên nền TiO2/Au.

- Nghiên cứu chế tạo vật liệu TiO2, TiO2/Au, MoS2, MoO3-x@MoS2 … cho ứng dụng trong quang điện hóa.

- Nghiên cứu chế tạo pin ion kim loại đa hóa trị.

- Nghiên cứu chế tạo vật liệu từ: FexOy và CoxFe3-xO4 định hướng trong các ứng dụng liên quan đến điều trị ung thư.
   

DANH SÁCH THÀNH VIÊN

STT

Họ và tên

Biên chế/ HĐ/CTV

Điện thoại

Email
Chú ý thay (*) = vast.ac.vn

1

Trần Thị Kim Chi

Biên chế

0989832333

chittk@ims.(*)

2

Nguyễn Tiến Thành

Biên chế

0981491582

ntthanh@ims.(*)

3

Lê Thị Hồng Phong

Biên chế

0976908589

phonglth@ims.(*)

4

Nguyễn Thị Thúy

Biên chế

 

thuynt@ims.(*)

5

Bùi Thị Thu Hiền

Biên chế

0865640392

hienbtt@ims.(*)

6

Đỗ Thị Duyên

Biên chế

0362163007

duyendt@ims.(*)

7

Trần Thị Hương Giang

0869320655

giangtth@ims.(*)


CÁC THÀNH TỰU CHÍNH

   1. Pin mặt trời Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6

Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã chế tạo pin mặt trời Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 có độ rộng vùng cấm khoảng 1.87 eV từ iodide và bromide. Để nâng cao chất lượng của pin, chúng tôi đã cho thêm Pb(SCN)2 vào trong dung dịch các tiền chất perovskites. Kết quả cho thấy, hình thái bề mặt, chất lượng tinh thể, tính chất quang và điện của Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 có sự thay đổi rõ rệt khi có mặt Pb(SCN)2. Cụ thể là, khi có Pb(SCN)2, kích thước trung bình của các hạt tinh thể Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 lớn hơn 1 µm, và thời gian sống trung bình của các hạt tải khoảng 224.27 ns, lần lượt lớn hơn 7 lần và 10 lần so với các màng mỏng perovskites khi không có Pb(SCN)2. Và tại nồng độ tối ưu 2% Pb(SCN)2, hiệu suất, thế hở mạch, mật độ dòng của pin mặt trời lần lượt là 13.66%, 1.27 V và 14.19 mA/cm2. Với mật độ dòng điện cao và thế hở mạch lớn, vật liệu Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 hứa tiềm năng lớn khi kết hợp với các vật liệu khác để chế tạo pin mặt trời đa lớp. Các kết quả nghiên cứu này đã được công bố trên tạp chí quốc tế Journal of Materials Chemistry A [1].



Hình 1. Sơ đồ năng lượng tại đường biên và bên trong tinh thể theo sự khác biệt về thế tiếp xúc và đặc trưng J-V của pin mặt trời Cs0.1FA0.9PbI1.4Br1.6 khi không có và khi có 2% Pb(SCN)2 trong tiền chất

 

2. Vật liệu cấu trúc nano MoO3-x@MoS2 (x = 0, 1) cho ứng dụng quang điện hóa

Nghiên cứu này trình bày một cách tiếp cận mới trong đó MoO3-x kết hợp với MoS2 để tạo thành vật liệu cấu trúc nano MoO3–x@MoS2. Quá trình oxy hóa từng bước của cấu trúc nano MoO3–x@MoS2 được mô tả trong các phương trình (1)-(3) dưới đây:

 





Hình 2
. (a, b) Các ảnh TEM và (c) Ảnh SAED của vật liệu cấu trúc nano MoO3-x@MoS2


Hình 3. (a) Giản đồ và (b) Phổ quét thế tuyến tính (LSV) của quang điện cực MoO3-x@MoS2 trong chất điện phân H2SO4 0,5 M. Quang điện cực này thể hiện mật độ dòng quang là 1,75 mA cm–2 ở 0,52 V so với RHE.

CÁC CÔNG BỐ TIÊU BIỂU

1. Thuy Thi Nguyen, Jihyun Kim, Yeon Soo Kim, Bich Phuong Nguyena and William Jo, Journal of Materials Chemistry A 11 (2023) 10254.

2.     2. N.X. Ca, P.V. Do, N.T.M. Thuy, N.T. Binh, N.T. Hien, P.M. Tan, B.T.T. Hien, T.T.K. Chi, Optical Materials 135 (2023) 113249

3.     3. Tien Thanh Nguyen, Tien Dai Nguyen, Thi Bich Vu, Luong Xuan Dien, Hoang V Le,Hung Manh Do and Thanh Tung Nguyen, Physica Scripta 98(12) (2023) 125961. (2023).

4.     4. Nguyen La Ngoc Tran, Dung Van Hoang, Anh Tuan Thanh Pham, Nguyen Tran Truc Phuong , Ngoc Xuan Dat Mai , Tran Thi Kim Chi, Bui Thi Thu Hien, Thang Bach Phan, Nhu Hoa Thi Tran, Journal of Science: Advanced Materials and Devices 8 (2023)100584.

5.     5. L.T.H. Phong, D.H.Manh, P.H. Nam, V.D. Lam, B.X. Khuyen, B.S. Tung, T. N. Bach, D.K. Tung, N.X. Phuc, RSC Adv., 12 (2022) 698.

TRANG THIẾT BỊ CHÍNH
  • Kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao (HR-TEM): JEM2100 (Jeol, Nhật Bản), cho phép quan sát ảnh với độ phân giải rất cao, đủ quan sát được sự tương phản của các lớp nguyên tử trong vật rắn có cấu trúc tinh thể.

  • Hệ thiết bị chuẩn bị mẫu: máy mài mẫu phẳng 623, máy mài lõm 656, máy cắt mẫu isomet 4000, máy đánh bóng mẫu ecomet 250, máy đột mẫu bằng siêu âm 601, máy đột dạng đĩa 659, máy đánh bóng điện hóa tenupol-5, máy bốc bay chân không.

  • Hệ Raman Xplora Plus (λex = 532, 785 nm), khoảng đo: 50-4000cm-1 và độ phân giải phổ ≤ 2cm-1 tùy thuộc vào lựa chọn cách tử, laser.


HỆ HIỂN VI ĐIỆN TỬ TRUYỀN QUA PHÂN GIẢI CAO
 JEM 2100


 


MÁY CẮT MẪU
(Model: IsoMet 4000, Buehler - Mỹ)

 


MÁY ĐÁNH BÓNG MẪU
(Model: Ecomet 250, Buehler - Mỹ)

 


MÁY ĐỘT MẪU BẰNG SIÊU ÂM
(Model: 601, Gatan - Mỹ)

 


MÁY ĐỘT DẠNG ĐĨA
(Model: 659, Gatan - Mỹ)

 


MÁY MÀI MẪU PHẲNG
(Model: 623, Gatan - Mỹ)

 


MÁY MÀI LÕM
(Model: 656, Gatan - Mỹ)

 


MÁY ĐÁNH BÓNG ĐIỆN HÓA
(Model: TenuPol-5; Struer - Đan Mạch)

 


MÁY BỐC BAY CHÂN KHÔNG
(Model: JEE - 420T, JEOL - Nhật Bản)

 


PHÒNG THÍ NGHIỆM HÓA HỌC




HỆ RAMAN
 (XploRA Plus)

 

Viện khoa học vật liệu
  • 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
  • Điện thoại: 024 37564 129
  • Email: office@ims.vast.ac.vn
  • Giờ làm việc: 08h30 tới 17h00 từ thứ Hai đến thứ Sáu
© 2021 Bản quyền thuộc về VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU.