PHÒNG VẬT LIỆU QUANG ĐIỆN TỬ
|
- Nghiên cứu cơ bản và triển khai ứng dụng về vật liệu quang điện tử (i) vật liệu phát quang hiệu suất cao trên cơ sở chấm lượng tử hợp chất II-VI, III-V, I-III-VI2 có và không pha tạp các ion đất hiếm; (ii) vật liệu quang xúc tác/xúc tác điện hóa nền đồng, titan, kẽm, kim loại chuyển tiếp; (iii) vật liệu plasmonic trên cơ sở các kim loại quý như vàng, bạc; (iv) vật liệu hấp phụ trên cơ sở các vật liệu khung cơ kim (MOF), carbon aerogel.
- Đào tạo nguồn nhân lực khoa học và công nghệ có trình độ cao trong lĩnh vực vật liệu quang điện tử.
- Hợp tác quốc tế trong lĩnh vực vật liệu quang điện tử và các lĩnh vực khác có liên quan.
- Nghiên cứu chế tạo, tính chất và ứng dụng của vật liệu phát quang hiệu suất cao trên cơ sở các chấm lượng tử bán dẫn hợp chất II-VI, III-V, I-III-VI2.
- Nghiên cứu phát triển công nghệ điện hóa xúc tác để chuyển hóa dòng khí CO2 liên tục thành các sản phẩm có giá trị như CO, axit formic.
- Vật liệu quang xúc tác trên cơ sở hợp chất của đồng, titan, kẽm và kim loại chuyển tiếp ứng dụng trong xử lý môi trường và chuyển hóa năng lượng.
- Vật liệu hấp phụ trên cơ sở các vật liệu khung cơ kim (MOF), carbon aerogel.
- Phát triển các phương pháp lọc nhiễu tuyến tính và phi tuyến ứng dụng trong quang phổ.
|
Trưởng phòng:PGS. TS. Ứng Thị Diệu Thúy
|
- Thông tin liên hệ của Trưởng phòng:
- Họ và tên: PGS. TS. Ứng Thị Diệu Thúy
- Địa chỉ phòng làm việc: Phòng 219, Nhà A2
- Số điện thoại di động: 0967 068 416
- Email: dieuthuy@ims.(*) - (Chú ý thay (*) = vast.ac.vn)
|
DANH SÁCH TẤT CẢ THÀNH VIÊN
| TT |
Họ và tên
|
Chức vụ
|
Biên chế /Hợp đồng/Cộng tác viên
|
Địa chỉ phònglàm việc
|
Email
Chú ý thay (*) = vast.ac.vn
|
|
1
|
PGS.TS. Ứng Thị Diệu Thúy
|
Trưởng phòng
|
Biên chế
|
Phòng: 219, Nhà: A2
|
dieuthuy@ims.(*)
|
|
2
|
GS.TS Nguyễn Quang Liêm
|
Thành viên
|
Biên chế
|
Phòng: 301, Nhà: A2
|
liemnq@ims.(*)
|
|
3
|
TS. Trần Thị Thương Huyền
|
Thành viên
|
Biên chế
|
Phòng: 219, Nhà: A2
|
huyenttt@ims.(*)
|
|
4
|
TS. Nguyễn Thu Loan
|
Thành viên
|
Biên chế
|
Phòng: 219, Nhà: A2
|
loannt@ims.(*)
|
|
5
|
TS. Lê Văn Long
|
Thành viên
|
Biên chế
|
Phòng: 220, Nhà: A2
|
longlv@ims.ac.vn
|
|
6
|
TS. Mẫn Hoài Nam
|
Thành viên
|
Biên chế
|
Phòng: 220, Nhà: A2
|
nammh@ims.(*)
|
|
7
|
ThS. Trần Thị Thu Hương
|
Thành viên
|
Biên chế
|
Phòng: 219, Nhà: A2
|
huongttt@ims.(*)
|
|
8
|
ThS. Nguyễn Đình Phúc
|
Thành viên
|
Hợp đồng
|
Nước ngoài
|
phucnd@ims.(*)
|
|
9
|
ThS. Nguyễn Minh Thư
|
Thành viên
|
Hợp đồng
|
Phòng: 219, Nhà: A2
|
thunm@ims.(*)
|
CÁC THÀNH TỰU CHÍNH
Phòng Vật liệu quang điện tử đã và đang triển khai các đề tài về (i) vật liệu xúc tác cấu trúc nano trên cơ sở nền titan, nền đồng, nền kẽm và vật liệu khung cơ kim, carbon aerogel (ii) vật liệu phát quang trên cơ sở các tinh thể nano bán dẫn ZnSe, AgInX2 (X=S, Se) và (iii) vật liệu oxit bán dẫn ZrO2. Một số kết quả nổi bật thu được như sau:
- Vật liệu quang xúc tác nền titan và nền đồng
Tổng hợp vật liệu quang xúc tác TiO2 pha brookite và pha hỗn hợp định hướng ứng dụng xử lí nước thải công nghiệp ô nhiễm chất màu và nước thải y tế ô nhiễm dược phẩm” do TS. Trần Thị Thương Huyền chủ trì. Đề tài thuộc Chương trình NCCB của Quỹ NAFOSTED đã hoàn thành các nội dung nghiên cứu và đạt đủ các sản phẩm như đăng ký. Hình 1 thể hiện một số kết quả nổi bật đạt được của đề tài và đã được đăng trên các tạp chí quốc tế uy tín Progress in Natural Science: Materials International 29 (2019) 641–647 và Journal of Water Process Engineering 43 (2021) 102319. Đề tài đã chế tạo các hạt tinh thể TiO2 dạng cầu (đường kính cỡ 10 nm) đơn pha brookite bằng phương pháp thủy nhiệt đơn giản. Áp dụng công nghệ in phun 3D hiện đại và tìm ra công thức tạo dung dịch mực in phù hợp, các màng TiO2 đơn pha brookite đã hình thành và có độ bám dính tốt trên bề mặt kính, phục vụ cho các nghiên cứu khảo sát độ bền của vật liệu quang xúc tác.

Hình 1. Một số kết quả nghiên cứu về màng TiO2 tạo bằng công nghệ in phun 3D.
“Chế tạo và khảo sát tính chất tự làm sạch bề mặt của màng phủ tổ hợp nanocomposite Au-TiO2 brookite/SiO2” do TS. Trần Thị Thương Huyền chủ trì. Đề tài thuộc chương trình phát triển Vật lý cấp Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam, hoàn thành các nội dung nghiên cứu và đạt đủ các sản phẩm như đăng ký. Hình 1 trình bày tóm tắt các kết quả của đề tài và đã được đăng trên tạp chí quốc tế uy tín J. Nanopart. Res. (2023) 25:203. Đề tài đã chế tạo thành công các hệ vật liệu nano TiO2 brookite (dạng thanh với chiều dài cỡ 100 nm và chiều rộng cỡ 30 nm)-Au (dạng cầu đường kính dưới 20 nm) bằng kỹ thuật tạo tương tác plasma-dung dịch trên hai hệ phát plasma khác nhau (microplasma và plasma jet) có độ lặp lại cao và hoạt tính quang xúc tác dưới ánh sáng nhìn thấy; dạng màng kỵ nước bằng phương pháp phun phủ đơn giản định hướng ứng dụng tự làm sạch bề mặt (mờ sương).
Mối liên hệ về hình thái học, tỉ lệ thành phần giữa hai pha tinh thể CuO và Cu2O mọc và phát triển cạnh tranh nhau trên bề mặt tấm đồng (Cu) kim loại trong quá trình nung mẫu ở nhiệt độ cao trong không khí đã được khảo sát qua hai thông số thời gian và nhiệt độ nung ủ. Các hệ mẫu CuO/Cu2O kết tinh dưới dạng hỗn hợp hình hoa và dây mảnh, và thể hiện hiệu ứng quang xúc tác dưới ánh sáng tử ngoại trong phản ứng quang phân hủy chất màu rose bengal (74%) với dải pH rộng (3,5-10,5). Hiệu quả quang xúc tác tăng lên khi có thêm sự có mặt của tác nhân khử H2O2 khoảng 90 – 96% tùy lượng H2O2 thêm vào. Mẫu màng cứng CuO/Cu2O/Cu có lợi thế về thu hồi và tái sử dụng mẫu sau khi xử lý nước ô nhiễm. Các kết quả nghiên cứu này đã được công bố trên tạp chí quốc tế uy tín Materials Transactions.

Hình 2. Các hình ảnh mô tả thực nghiệm tổng hợp và khả năng quang xúc tác phân hủy rose bengal của CuO/Cu2O/Cu.
Vật liệu Cu2O bán dẫn loại p (p-Cu2O) rất phù hợp làm cathode quang cho phản ứng khử H+ tạo H2 nhưng nó bị ăn mòn quang điện do thế oxi hóa khử nằm trong năng lượng vùng cấm. Để khắc phục hạn chế này bằng cách dập tắt nhanh chóng electron được tạo ra từ khối Cu2O hoặc bằng cách ngăn chặn sự khuếch tán của proton lên bề mặt điện cực Cu2O. Một số phương pháp chủ yếu đã được đề xuất như sử dụng lớp phủ kim loại (Ti, Au, Pt,…) hoặc oxide kim loại (TiO2, ZnO, Al2O3, …) làm lớp bảo vệ p-Cu2O. Nhưng lớp kim loại bảo vệ làm giảm khả năng hấp thụ ánh sáng của điện cực. Do đó, nó bị hạn chế khi sử dụng cho mặt trước của thiết bị quang điện hóa. Chúng tôi sử dụng oxide bán dẫn loại n (Cu2O, TiO2) hay các chấm lượng tử AgInS2, AgInSe2, AgInGaS2 và AgInGaSe2 làm các lớp bảo vệ, sẽ tạo thành cấu trúc dị thể pn thúc đẩy sự phân tách lỗ trống và độ linh động của điện tử trong điện cực quang p-Cu2O dẫn đến không chỉ điện cực quang p-Cu2O được bảo vệ hiệu quả mà hiệu suất xúc tác quang của nó cũng được cải thiện phần. Các màng mỏng Cu2O loại p (p-Cu2O) trên đế FTO bằng phương pháp điện hóa. Sau đó, phủ các lớp TiO2 lên p-Cu2O bằng phương pháp bốc bay chùm điện tử với độ dày lớp TiO2 khác nhau (10 nm, 20 nm, 50 nm và 100 nm). Hình 3 trình bày đặc trưng vi hình thái, cấu trúc và tính chất quang điện hóa của các màng TiO2/p-Cu2O với các độ dày lớp phủ TiO2 và nhiệt độ ủ khác nhau. Các kết quả nghiên cứu này đã được chúng tôi công bố trên tạp chí quốc tế uy tín J. Phys. D: Appl. Phys. 56 (2023) 465502.
|
|
|
Hình 3. Ảnh SEM, giản đồ XRD của p-Cu2O với một lớp phủ TiO2 dày 50 nm và đặc trưng I – t của 50 nm-TiO2/p-Cu2O ủ ở các nhiệt độ khác nhau.
|
- Vật liệu xúc tác trên cơ sở vật liệu khung cơ kim
Vật liệu khung cơ kim (MOFs, Metal-Organic Frameworks) rất đa dạng về hình thái, có độ xốp cao và diện tích bề mặt riêng lớn, tính chất hóa lý có thể được điều chỉnh “theo ý muốn” bằng cách thay đổi bản chất của những ion kim loại trung tâm hoặc của phối tử. Với kích thước mao quản lớn giúp cho khả năng khuếch tán và di chuyển của các phân tử chất vào mao quản tương đối dễ dàng, nên các vật liệu MOFs này có tiềm năng ứng dụng lớn trong lĩnh vực xúc tác và hấp phụ. Chúng tôi đã nghiên cứu chế tạo thành công một số vật liệu MOFs tâm Al (Al-fumarate có diện tích bề mặt riêng lỡn cỡ 1000 m2/g, có khả năng hấp phụ và phân hủy chất màu hữu cơ rose bengal khá cao, hiệu quả phân hủy hơn 70 % sau 3 giờ chiếu ánh sáng tử ngoại, các kết quả nghiên cứu này đã được công bố trên Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol 13 (2022) 045012. Ngoài ra, chúng tôi sẽ đưa các hạt nano Cu, Zn vào vật liệu MOF Al-fum. Hình 4 trình bày đặc trưng vi hình thái và khả năng khử điện hóa CO2 của vật liệu MOF Al-fum trước và sau khi phân tán các lượng hạt hạt nano Cu, Zn khác nhau. Ở điện thế chọn lọc tốt nhất là -1,0 V so với RHE, mẫu Cu-Zn@Al-fum có tổng hiệu suất Faraday (FE) của sản phẩm khử CO2 là 62%, chỉ có 32% là FE tạo H2. Mật độ dòng điện tăng khoảng 10-15% sau 4 giờ điện phân, dẫn đến FE với tất cả các sản phẩm khí cũng tăng. Kết quả này khẳng định MOF Cu-Zn@Al-fum có tính ổn định rất tốt, bên cạnh hiệu suất xúc tác tốt trong quá trình khử điện CO2. Những kết quả này thực sự đáng khích lệ đối với quá trình khử điện hóa CO2 trong điều kiện pH trung tính. Hơn nữa, Al-fum MOF đã được chứng minh là ổn định về mặt hóa học và là một ma trận tốt để chứa các hạt nano kim loại khác mà không bị kết tụ trong quá trình điện phân. Các kết quả nghiên cứu được trình bày chi tiết trên RSC Adv. 14 (2024) 3489-3497.
|
|
|
|
Hình 4. Ảnh SEM và EDX mapping nguyên tố của Cu-Zn@Al-fum; (a) LSV của Cu-Zn@Al-fum/GDE trong dung dịch KHCO3 0,1 M bão hòa CO2 hoặc Ar; (b) sự phân bố sản phẩm của quá trình khử điện hóa CO2 ở các điện thế khác nhau của (b) Cu@Al-fum, và (c) Cu-Zn@Al-fum; (d) mật độ dòng điện và FE của các sản phẩm khí khác nhau trong quá trình điện phân khử CO2 của mẫu Cu-Zn@Al-fum theo thời gian.
|
- Chấm lượng tử/tinh thể nano AgInS2 và AgInS2/GaS/ZnS
Chúng tôi đã nghiên cứu chế tạo thành công các tinh thể nano/chấm lượng tử khác nhau (AgInS2 và AgInSe2) và có cấu trúc khác nhau (AgInS2/ZnS, AgInS2/GaSx và AgInSe2/ZnS) đạt chất lượng tinh thể tốt và phát quang hiện suất cao phù hợp cho những nghiên cứu cơ bản về các quá trình quang điện tử. Bằng cách thay đổi các điều kiện chế tạo như nhiệt độ, thời gian phản ứng, tỉ lệ tiền chất phản ứng, có thể điều khiển các tinh thể nano AgInS2 và AgInSe2 phát quang trong vùng 590-807 nm. Tính chất huỳnh quang của AgInS2 và AgInSe2 phụ thuộc vào trạng thái bề mặt rất nhiều, do chúng trực tiếp đóng góp trong điện trường hiệu dụng đặt trên chấm lượng tử bán dẫn (tham gia trong hiệu ứng Stark) và đồng thời là kênh tiêu tán năng lượng không phát quang. Khi tạo cấu trúc lõi/vỏ của chấm lượng tử bán dẫn bằng vật liệu có độ rộng vùng cấm lớn hơn như ZnS, GaSx… có thể thụ động hóa cả hai loại liên kết hở của các cation kim loại Ag+, In3+ và anion S2-, Se2-, và giam hãm hạt tải điện không cho thoát ra khỏi lõi AgInS2 (AgInSe2) làm tăng đáng kể chất lượng huỳnh quang (hiệu suất lượng tử huỳnh quang và độ bán rộng phổ huỳnh quang). Tuy nhiên, các lớp vỏ ZnS hay GaSx vẫn chưa thụ động hóa bề mặt/trung hòa các liên kết hở hoàn toàn trên bề mặt AgInS2 nên vẫn ghi nhận được vai huỳnh quang ở vùng năng lượng thấp (~710 nm). Do đó, chúng tôi sử dụng lớp vỏ ZnS để thụ động hóa bề mặt/trung hòa các liên kết hở trên bề mặt AgInS2/GaSx tạo cấu trúc AgInS2/GaSx/ZnS lõi/vỏ/vỏ.
Hình 5 trình bày đặc trưng vi hình thái và tính chất quang của các chấm lượng tử AgInS2, AgInS2/GaSx và AgInS2/GaSx/ZnS.



Hình 5. Ảnh HRTEM của (a) AgInS2, (b) AgInS2/GaSx và (c) AgInS2/GaSx/ZnS; Phổ hấp thụ và phổ huỳnh quang của AgInS2, AgInS2/GaSx và AgInS2/GaSx/ZnS
Chúng ta thấy sự bờ vùng hấp thụ về phía sóng dài sau khi bọc vỏ GaSx và GaSx/ZnS lên bề mặt lõi AgInS2, tương ứng với năng lượng hấp thụ bờ vùng là ~2,40 eV (517 nm), ~2,33 eV (532 nm) và ~2,26 eV (549 nm). Sự dịch chuyển đỏ này có thể liên quan đến sự tăng kích thước trong quá trình bọc vỏ và/hoặc sự hình thành cấu trúc lõi/vỏ làm leakage của hàm sóng điện tử-lỗ trống trong các lớp vỏ dẫn đến làm giảm hiệu ứng giam hãm lượng tử. Chấm lượng tử AgInS2 khi chưa bọc vỏ thì phát huỳnh quang rộng ở ~756 nm, có FWHM ~140 nm và hiệu suất lượng tử huỳnh quang (QY) ~28%. Sau khi bọc vỏ GaSx, phổ huỳnh quang trở lên rất hẹp (FWHM ~45 nm) với đỉnh huỳnh quang exciton ở ~575 nm cùng với vai nhỏ ở vùng năng lượng thấp 1,75 eV (710 nm) và QY tăng lên 35%. Thật thú vị, sau khi bọc thêm lớp vỏ ZnS ngoài cùng thì các chấm lượng tử chỉ thể hiện huỳnh quang exciton ở 575 nm mà không có dải huỳnh quang rộng ở vùng năng lượng thấp. Đặc biệt, QY của chấm lượng tử AgInS2/GaSx/ZnS còn tăng lên 60%. Như vậy, có thể nói lớp vỏ ngoài cùng ZnS đã gần như thụ động hóa bề mặt/trung hòa các liên kết hở trên bề mặt hoàn toàn làm tăng sự giam hãm của các điện tử-lỗ trống trong AgInS2 dẫn đến tăng khả năng chuyển dời exciton và QY tăng. Ngoài ra, lớp vỏ ZnS đã làm cho vật liệu AgInS2/GaSx/ZnS bền hóa học hơn và tính chất quang gần như không thay đổi sau 12 tháng bảo quản ở điều kiện thường. Các kết quả nghiên cứu được trình bày chi tiết trên Nanotechnology 33 (2022) 355704 và Nanotechnology 34 (2023) 315601.

Hình 6. Các cấu trúc được tăng cường khi tăng α.
|
- Giảm nhiễu và tăng cường cấu trúc trong dữ liệu nhiễu xạ tia X bằng phương pháp lọc nhiễu tuyến tính và phi tuyến tính
Phương pháp lọc nhiễu entropy cực đại được đề xuất bởi Bủg năm 1967 được thiết kế để trích xuất các tần số điều hòa trong nhiễu của chuỗi dừng. Gần đây, phương pháp này đã được chứng minh là có chứa một lời giải về entropy cực đại thực sự, trong đó các hệ số trong vùng thông tin được giữ lại hoàn toàn, trong khi các hệ số bậc cao trong vùng nhiễu trắng được thay thế bằng phép ngoại suy từ các hệ số bậc thấp với xác suất cao nhất. Trong khi phép ngoại suy giải quyết vấn đề apodization, phương pháp entropy cực đại đã hiệu chỉnh còn đi xa hơn: nó cũng cung cấp các ước tính độc lập với mô hình về các vị trí của các điểm kỳ dị làm phát sinh các đặc điểm trong dữ liệu. Câu hỏi được giải quyết ở đây là liệu các lợi thế về giảm nhiễu, phát hiện đặc điểm và vị trí đặc điểm tương tự như trong các ứng dụng UV/VIS có thể được hiện thực hóa trong phân tích dữ liệu nhiễu xạ tia X hay không. Kết quả chỉ ra rằng điều này có thể (Hình 6). Các kết quả chi tiết được công bố trên tạp chí J. Vac. Sci. Technol. B 41 (2023) 044004.
CÁC CÔNG BỐ TIÊU BIỂU
1. Tiep Khac Nguyen, Anh D.Kieu, Minh Duc Tran, Thi Thuong Huyen Tran, Cong Doanh Sai, Duc Trong Tran, Diep Ngoc Dang, Son Anh Pham, Huy Hoang Do, Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry, "Core-shell building blocks of nanosized Beeswax-Cu2O composites with multifunction of Antibiotic, anti-biofim and self-cleaning", 452 (2024) 115540, IF = 4,1.
2. Thi Thu Hien Bui, Pham Tran Anh Nguyen, Thanh Mai Vu, Thi Huong Giang Tran, Thi Kim Chi Tran and Thi Thuong Huyen Tran*. Mater. Res. Express "Simple precipitation synthesis and solar light-driven photocatalytic degradation of Ag3PO4 floating photocatalysts"11 ( 2024) 095502. IF = 1,8.
3. Cong Doanh Sai, Van Thanh Pham, Thi Ngoc Anh Tran, Thi Thuong Huyen Tran*, Thi Bich Ngoc Vu, Thi Huong Hue Hoang, Anh Son Pham, Thi Minh Thuy Nguyen, Thi Thu Hoai Duong and Huy Hoang Do, Materials Transactions, “Construction of Highly Condensed Cu2O/CuO Composites on Cu Sheet and Its Photocatalytic in Photodegradation of Hazardous Colouring Agent Rose Bengal”, Vol. 64, No. 9 (2023), 2134-2142. IF = 1.377.
4. Thi Thuong Huyen Tran*, Thi Kim Chi Tran, Thi Quynh Xuan Le, Nhat Linh Nguyen, Thi Minh Thuy Nguyen, Thi Thu Hien Pham, Truong Son Nguyen, Hoang Tung Do, Huy Hoang Do. “Engineering the surface structure of brookite‑TiO2 nanocrystals with Au nanoparticles by cold‑plasma technique and its photocatalytic and self‑cleaning property”, J. Nanopart. Res. (2023) 25:203. IF = 2.533.
5. H. H. Do, T. K. C. Tran, T. D. T. Ung, N. T. Dao, D. D. Nguyen, T. H. Trinh, T. D. Hoang, T. L. Le, T. T. H. Tran*, Journal of Water Process Engineering 43 (2021) 102319. Controllable fabrication of photocatalytic TiO2 brookite thin film by 3D-printing approach for dyes decomposition.
6. Nguyen Thu Loan, Tran Thi Thu Huong, Ung Thi Dieu Thuy, Peter Reiss and Nguyen Quang Liem*, Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol 15 (2024) 043002. ZnS shelling as the outermost layer on luminescent nanocrystals: a key strategy for quantum dot light-emitting diodes.
7. Ung Thi Dieu Thuy*, Tran Ngoc Huan*, S. Zanna, K. Wilson, Adam F. Lee, N.-D. Le, J. Mensah, V. D. B. C. Dasireddy and Nguyen Quang Liem*, RSC Adv. 14 (2024) 3489-3497. Cu and Zn promoted Al-fumarate metal organic frameworks for electrocatalytic CO2 reduction.
8. N. T. Loan, U. T. D. Thuy, N. Q. Liem* (2023). Fluorescent Biosensors Based on II–VI Quantum Dots. In: Korotcenkov, G. (eds) Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors. Springer, Cham. https://doi.org/10.1007/978-3-031-24000-3_18.
9. Hoang V Le, Thuy T D Ung*, Phong D Tran, Huy V Mai, Bich D Do and Liem Q Nguyen*, J. Phys. D: Appl. Phys. 56 (2023) 465502. Enhancing photoelectrocatalytic activity and stability of p-Cu2O photocathode through n-TiO2 coating for improved H2 evolution reaction.
10. N. T. Loan, T. T.T. Huong, L. M. Anh, L. V. Long, H. Han, U. T. D. Thuy*, N. Q. Liem*, Nanotechnology 34 (2023) 315601. Double-shelling AgInS2 nanocrystals with GaSx/ZnS to make them emit bright and stable excitonic luminescence.
11. T. T.T. Huong, N.T. Hiep, N. T. Loan, L. V. Long, H. Han, N. T. Thao, U. T. D. Thuy*, N. Q. Liem, Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol 14 (2023) 025017. Improved stability and luminescent efficiency of AgInSe2 nanocrystals by shelling with ZnS.
12. N. T. Loan, N. T. Hiep, T. T. T. Huong, U. T. D. Thuy*, T. T. T. Huyen, D. L. H. Tan and N. Q. Liem, Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol 13 (2022) 045012. Al-fumarate metal-organic frameworks adsorbent for removal of organic compound and gas storage.
13. T. T.T. Huong, N. T. Loan, L. V. Long, T. D. Phong, U. T. D. Thuy*, N. Q. Liem*, Optical Materials 130 (2022) 112464. Highly luminescent air-stable AgInS2/ZnS core/shell nanocrystals for grow lights.
14. T. T.T. Huong, N. T. Loan, U. T. D. Thuy*, N. T. Tung, H. Han, N. Q. Liem*, Nanotechnology 33 (2022) 355704. Systematic synthesis of different-sized AgInS2/GaSx nanocrystals for emitting the strong and narrow excitonic luminescence.
15. T. T. T. Huong, N. T. Loan, D. X. Loc, U. T. D. Thuy*, O. Stoilova* and N. Q. Liem, Optical Materials 113 (2021) 110858. Enhanced luminescence in electrospun polymer hybrids containing Mn-doped ZnSe/ZnS nanocrystals.
16. Long Van Le*, Tae Jung Kim, Young Dong Kim, D. E. Aspnes, Physica Status Solidi B 260 (2023) 2200271. Detection of the Biexciton of Monolayer WS2 in Ellipsometric Data: A Maximum-Entropy Success.
17. Long Van Le*, Jeroen A. Deijkers, Young D. Kim, Haydn N. G. Wadley, D. E. Aspnes, Journal of Vacuum Science & Technology B 41 (2023) 044004. Noise reduction and peak detection in x-ray diffraction data by linear and nonlinear methods.
TRANG THIẾT BỊ CHÍNH
|
TT
|
Tên thiết bị
|
Tính năng, khả năng
|
Vị trí lắp đặt
|
Người chịu trách nhiệmvận hành
|
|
1
|
Máy quang phổ độ nhạy cao (Hệ iHR 550, Horiba)
|
Thiết bị đo đạc, khảo sát tính chất quang. Tiêu cự 550 mm, khẩu độ f/6.4, dải đo 300 - 1000 nm, độ chính xác ±0.2 nm.
|
Phòng 210, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Ứng Thị Diệu Thúy
Nguyễn Thu Loan
Lê Văn Long
|
|
2
|
Thiết bị STREAK CAMERA (Optronis, Đức)
|
Thiết bị đo đạc, khảo sát tính chất quang. Photocathode 8 mm; độ phân giải thời gian < 2 pico giây; Độ phân giải không gian > 40 đường/mm ở photocathode; quét đồng bộ từ 25 MHz đến 250 MHz
|
Phòng 210, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Ứng Thị Diệu Thúy
Nguyễn Thu Loan
Lê Văn Long
|
|
3
|
Hệ Laser Femto giây (Coherent)
|
Bước sóng sơ cấp 680 - 1040 nm; nhân tần bậc hai và 3; cường độ phụ thuộc vào bước sóng; độ rộng xung phụ thuộc vào bước sóng
|
Phòng 210, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Nguyễn Thu Loan
Ứng Thị Diệu Thúy
Lê Văn Long
|
|
4
|
Thiết bị phổ kế Ellipsometer (Horiba)
|
Ghi nhận tín hiệu quang phổ từ 190 nm đến 2100 nm, cho phép xác định hàm điện môi (chiết suất), độ dày màng mỏng, và các đặc trưng khác của vật liệu
|
Phòng 210, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Lê Văn Long
Nguyễn Thu Loan
Ứng Thị Diệu Thúy
|
|
5
|
Hệ sắc ký khí hai đầu dò (GC, Claurius 690, Elmer Perkin)
|
2 cảm biến FID và TCD, nhiệt độ lò: 50 - 450 oC, tốc độ gia nhiệt: 0˚C/phút đến 160 ˚C/phút; với FID cổng bơm mẫu chia dòng/không chia dòng
|
Phòng 210, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Ứng Thị Diệu Thúy
Trần Thị Thu Hương
|
|
6
|
Hệ điện hóa Potentiostat SP-300 (Biologic, Pháp)
|
Số kênh 2; dòng điện tối đa 500 mA; điện áp điều khiển 10V; điện áp phù hợp 12V; độ phân giải điện áp 1µV; độ phân giải dòng điện 760 fA; dải tần số 10µHz-7Hz; có sẵn cổng kết nối với các thiết bị ngoài như RDE/RRDE, QCM
|
Phòng 218, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Ứng Thị Diệu Thúy
Trần Thị Thu Hương
Nguyễn Minh Thư
|
|
7
|
Hệ điện hóa Potentiostat SP-50 (Biologic, Pháp)
|
Số kênh 1; thời gian nhận tin hiệu 200 µs đối với phần mềm EC-Lab; điều chỉnh thế đầu ra khi đo: ± 2.5 V, ± 5 V, ± 10 V;
|
Phòng 217, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Trần Thị Thu Hương
Lê Văn Long
Nguyễn Minh Thư
|
|
8
|
Thiết bị đo giãn nở nhiệt Dilatometer (Linseis)
|
Đo sự thay đổi chiều dài DL, hệ số giãn nở nhiệt (CTE, coefficient of thermal expansion) trong khoảng từ nhiệt độ phòng lên đến 1400 oC, khoảng đo DL từ 100 µm tới 5000 µm
|
Phòng 217, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Lê Văn Long
Trần Thị Thu Hương
Ứng Thị Diệu Thúy
|
|
9
|
Thiết bị phun nhiệt phân (Holmarc, Ấn Độ)
|
Dung tích phun 50 ml và 250 ml; tốc độ phun theo trục X: 10-800mm/giây, tốc độ phun theo trục Y: 1-12mm/giây; bình phu di chuyển-khoảng cách tối đa 2 trục X-Y: 200mm; tấm đế nền kích thước 150x150 mm, nhiệt độ tối đa 500 oC, điện áp 230V, 50Hz
|
Phòng 218, Nhà A2, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội
|
Trần Thị Thu Hương
Nguyễn Minh Thư Ứng Thị Diệu Thúy
|